|
具有 JTE 结构的碳化硅X射线探测器设计与性能仿真 王富，夏晓川 （大连理工大学集成电路学院，大连 116620） 摘要：随着辐射探测技术向高温强辐射工况的纵深发展，宽禁带半导体 X 射线传感技术正逐步成为极端环境探测的关键技术。碳化硅凭借其高载流子电离能与突出的晶格位移阈值，已成为构建耐辐射X射线探测器的优选材料。本文基于 SentaurusTCAD 软件，运用结终端技术对110um 厚的LGAD型探测器进行了优化与仿真，结果显示优化的探测器具有更宽的工作电压范围（1100V-4100V），对能量为 5.9keV 的X射线具有 1.7-14.2响应电流增益范围。 关键词：碳化硅；结终端；低增益；X射线探测 中图分类号：TN303
| 
发表于 2025-8-29 00:07
