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单根碳纳米管场效应晶体管的制备 王昊天，徐姣 （大连理工大学集成电路学院，辽宁，辽宁大连116620） 摘要：碳纳米管（CNT）是一种一维半导体材料，凭借超高迁移率（200,000 cm2/（V-s），高于硅10倍以上）、高导热性（3000 W/（mK））、纳米级厚度（1~2 nm）和柔性优势，被视为延续摩尔定律、开启后硅基时代的关键材料。然而实际应用中，碳纳米管的超小尺寸对场效应晶体管的搭建形成了阻碍，影响了对碳纳米管性能的进一步研究。本文提出了一种背栅结构的单根碳纳米管场效应晶体管，以碳纳米管作为沟道材料，300nm氧化硅作为栅介质层，P 型掺杂的硅衬底为栅极，CNT 两端仅需制备源漏接触电极即可。通过测试转移特性，初始碳纳米管呈现出双极型的导电特性，初始器件的开关比达10E3。此单根碳纳米管场效应晶体管的制备方法操作简便，采用背栅结构，便于对作为沟道材料的 CNT进行修饰与掺杂，为碳纳米管特性进一步深入奠定了基础。 关键词：集成电路工程；场效应晶体管；碳纳米管；背栅结构 中图分类号：TN32 文献标识码：A
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发表于 2025-8-20 23:28
