《碳化硅深双沟槽超结MOSFET性能仿真》作者：留庆修，夏晓川【PDF】

书呆熊

碳化硅深双沟槽超结 MOSFET 性能仿真
留庆修，夏晓川
（大连理工大学集成电路学院，大连• 116620）
摘要：碳化硅（SiC）MOSFET 因其高耐压、低损耗特性成为高压功率器件的理想选择。SiCMOSFET 与同耐压级别的 SiIGBT 相比，具有开关损耗低、开关频率高、工作温度高等优点。论文提出一种载流子存储层（CSL）与全超结协同设计的深双沟槽超结 SiC MOSFET（DDT-SJMOSFET），通过 TCAD 仿真系统分析了 CSL 层掺杂浓度、厚度及超结掺杂浓度对器件电学特性的影响规律。结果表明引入CSL 层通过重构载流子浓度梯度，有效抑制超结电荷失衡，结合全超结设计在维持开关特性的同时优化导通与耐压性能。根据对比分析，在CSL 厚度1.4u m.掺杂浓度 4.8×10^16cm^-3、超结掺杂浓度 4.0x 10^16cm^-3时，击穿电压、亚阈值摆幅、阈值电压等电学特性变化趋于稳定，比导通电阻稳定在2.3m2•cm^2。
关键词：碳化硅；超结；深双沟槽；MOSFET
中图分类号：TN386.1