《碳化硅中子辐照缺陷的仿真研究》作者：孟淑琦，夏晓川【PDF】

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碳化硅中子辐照缺陷的仿真研究
孟淑琦，夏晓川
（大连理工大学集成电路学院，大连116620
摘要：本文使用Geant4仿真工具，研究了受到0.1 MeV 至1MeV 不同辐照能量的碳化硅材料中位移缺陷的能谱以及它的反应过程。根据仿真发现，辐照能量的增加会导致不同移位缺陷占比的改变，欧陷能谐的能量范国展宽。同时使用LAMMPS 仿真工具，对7.5 KeV的SiPKA,3.5 KeV 的CPKA 产生的级联碰撞进行仿真，发现经过热力学演化，缺陷会产生次级级联碰撞，使得陷浓度增加，且产生缺陷团族。本研究从不同仿真角度揭示了快中子辐照对碳化硅材料产生的影响，为提高器件的抗辐照性能授供了理论依据。
关键词：半导体技术；中子辐照；辐照损伤；碳化硅
中图分类号：TN301.1